700w功耗 800亿晶体管 nvidia的h100核心定制4nm工艺:更省电
2022-03-29 作者:蚂蚁生活网 【 字体:大 中 小 】
英伟达两天前在gtc 2022大会上发布了h100 gpu核心 h100的生产也极其复杂。它没有使用传闻中的台积电5nm工艺,而是使用了定制版的台积电4nm工艺,名为4n。台积电4nm的正式名称是n4,它集成了800多亿个晶体管,核心面积为814mm2。相比之下,上一代a100的核心是台积电7nm工艺,542亿个晶体管,核心面积为826mm2。
因此,当面积几乎相同时,h100内核的晶体管密度增加了约48%,但低于台积电官方宣称的80%的增加。
英伟达上一次使用台积电的定制工艺可以追溯到12纳米图灵时代。这一次,它是4nm工艺的定制版本。然而,和之前一样,英伟达没有说明定制的4n工艺与台积电的n4工艺有多大不同。已知的主要区别是能源效率。 .4n流程专注于优化节能。虽然sxm版本h100的最大功耗为700w,但pcie版本5.0的功耗为350w,低于当前a100内核的400w,但性能提高了几倍,显示出高能效。
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